Ang mga semiconductor laser ay naimbento noong 1962 at nakamit ang tuluy-tuloy na operasyon ng alon na may dobleng heterostructure noong 1970, na naging pangunahing pinagmumulan ng liwanag para sa optical na komunikasyon. Sinusuportahan ng InGaAsP/InP system ang 1300/1550 nm low-loss communication band, at ang MOCVD ay naging pangunahing teknolohiya ng fabrication.
Isang semiconductor laserbinubuo ng isang gain medium at isang Fabry-Perot resonator. Ang pagbaligtad ng populasyon ay natanto sa pamamagitan ng carrier injection, at ang laser ay nabuo sa pamamagitan ng stimulated emission. Ang longitudinal mode spacing ay tinutukoy ng haba ng cavity, at ang mode locking ay nangangailangan ng phase synchronization ng maramihang longitudinal mode
Schematic ng isang malawak na lugar ng laser
Maraming mga disenyo ng laser gamit ang InGaAsP/InP material system.
Ang sistema ng materyal na InGaAsP/InP ay pinagtibay para sa banda ng komunikasyon, na sumasaklaw sa 1300–1600 nm. Ang MOCVD epitaxial growth ay nakakamit ng high-precision na pagtutugma ng sala-sala, na siyang pangunahing pamamaraan ng paggawa para sa mga komersyal na laser.
Ang kasalukuyang threshold ay tumataas nang husto sa temperatura, at ang katangiang temperatura na T₀ ay sumasalamin sa katatagan ng temperatura. Ang high-speed modulation ay umaasa sa mababang capacitance at malakas na index-guided structures.
Nagtatampok ang mga semiconductor laser ng maliit na sukat at mataas na pagiging maaasahan, na kumikilos bilang pangunahing pinagmumulan ng liwanag para sa optical na komunikasyon, mga pinagmumulan ng pump, pag-print at sensing, na sumusuporta sa miniaturization at pagsasama ng ultrafast mode-locked system.
